200V三相半桥驱动芯片BP6931(参数 引脚 规格书)
BP6931是晶丰明源一款200V三相高压半桥栅极驱动芯片,两路独立输入可以分别驱动高侧和低侧半桥NMOS或IGBT,驱动电流1A,可广泛应用于马达驱动,工业控制,芯片内置死区时间和直通保护逻辑,防止上下桥臂功率管同时导通,内置高侧和低侧欠压保护,工作温度-40℃-105℃,TSSOP20封装。
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BP6931是晶丰明源一款200V三相高压半桥栅极驱动芯片,两路独立输入可以分别驱动高侧和低侧半桥NMOS或IGBT,驱动电流1A,可广泛应用于马达驱动,工业控制,芯片内置死区时间和直通保护逻辑,防止上下桥臂功率管同时导通,内置高侧和低侧欠压保护,工作温度-40℃-105℃,TSSOP20封装。
BP6931是晶丰明源一款200V三相高压半桥栅极驱动芯片,两路独立输入可以分别驱动高侧和低侧半桥NMOS或IGBT,可广泛应用于马达驱动,工业控制,芯片内置死区时间和直通保护逻辑,防止上下桥臂功率管同时导通,内置高侧和低侧欠压保护,工作温度-40℃-105℃,TSSOP20封装。
200v半桥驱动芯片BP6931主要特点;
高侧驱动浮动电源设计,最高耐压+200V
驱动电流1A
三路独立半桥驱动,高低侧分别控制
可承受瞬时负压
7V~20V栅极驱动电源电压
支持3.3V/5V/15V输入逻辑
BP6931芯片管脚封装图;
BP6931驱动芯片的极限参数;
高侧浮动电源电压:-0.3~250V
高侧电源基准电压:VB-25~ VB + 0.3V
高侧驱动输出电压:Vs - 0.3~ VB + 0.3V
低侧驱动及逻辑电源电压:-0.3 - 25V
低侧驱动输出电压:-0.3~ VCC + 0.3V
逻辑输入电压(HIN/ LIN):-0.3~ VCC + 0.3V
开关电压摆率:50V/ns
封装功率耗散:0.9W
结对环境热阻:140℃/W
结温范围:-40-150℃
存储温度范围:-55-150℃
推荐工作范围;
规格书资料下载;