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铨力双N沟道低压MOS管AP4822QD（参数引脚代换）2023-02-11 17:45:11: AP4822QD是铨力半导体一款双N沟道低压MOS场效应管，增强型，30v20A，丝印4822QD，结温150℃，功率4.8W，封装方式为PDFN3X3-8L，5000个一包装，可直接替换HM4822、AO4822、APM4822、CEM4822等型号，想了解更多关于该MOS的价格，应用，测试电路，规格书等欢迎联系孙经理。...

铨力P沟道功率MOSFET AP2305（参数封装应用）2022-11-05 13:47:15: AP2305型号是铨力半导体一款P沟道功率MOSFET，提供优异的Rds（ON），在25℃下的测试条件下的最大漏源电压VDS为-20V，最大栅源电压VGS为±12V，最大漏极电流ID为-4.1A，最大脉冲漏源电流IDM为-15A，最小漏源击穿电压BVDSS为-20V（VGS=0V，ID=250μA），最大总功耗PD仅为1.7W。...

铨力N沟MOS AP2020G（图片参数应用）2022-10-22 09:05:35: AP2020G是铨力一款N沟道功率MOS，20V90A，封装为PMPAK5x6，最大功耗87W，主要用于开关模式电源，负荷开关等，以下是该MOS的基本参数，最大额定值参数信息，低Rds（ON）以最小化传导损耗，高雪崩电流，如需了解价格欢迎联系二方电子。...

铨力P沟道MOS管AP4407C -30V-12A（参数丝印应用）2022-09-26 21:20:57: AP4407C是铨力半导体的一款P沟道增强型mosfet，-30V-12A，采用贴片SOP-8封装，丝印4407C，具有快速切换，出色的导通电阻和最大直流电流能力，功耗3.7W，主要用于DC/DC转换器，便携式设备负载开关，电池开关等，欢迎广大客户咨询价格，样品，规格书资料等。...

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