8脚贴片N沟道30v耐压90Amos管-SFN3009T2023-05-20 10:55:10

SFN3009T是深鸿盛一款30v 8脚贴片mos管系列，采用PDFN3X3-8L封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：90A，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.5mΩ@VGs=10V，可用于锂电池保护板，电机，丝印SFN3009T，卷装，欢迎向代理商二方电子咨询样品，批量价格。...

30Vmos管能代替60V的吗？2023-03-09 19:33:14

30vmos属于低压场效应管系列，最高耐电压通常为30V，是一种用量比较大的电子元件，可以用于音频放大器、电机驱动器、LED驱动器、太阳能电池板控制器等应用，本文二方电子小傅将为您介绍30Vmos管能代替60V的吗？低电压MOS替代大电压的MOS需要考虑的几个因数。...

找30v低压mos型号看过来，深鸿盛30vmos管选型参数表2023-03-05 11:43:54

30vmos属于低压mos管系列，根据客户的需求不同，有多种电流及导通内阻，被广泛应用于电子烟，电脑主板，蓝牙音响，LED车灯，不间断电源及逆变器系统，大电流RGB灯带调光，锂电池保护板等，今日二方电子小编为您带来我司代理的深鸿盛电子10多款30vmos管（N P 双N p+n）沟道型号及参数选型表，希望有合适的可以帮到您。...

N+P双路场效应管SFN0315T4 30V18A PDFN3*3-8L2023-02-19 11:53:04

SFN0315T4是深鸿盛电子一款N+P双路场效应管，该mos采用PDFN-3*3-8L封装，卷装，丝印SFN0315T4，N沟Vds=30V.Id=18A，导通电阻典型值为9.1mΩ，P沟Vds=-30V.Id=-15A，导通内阻典型值为23.5mΩ，功率Pd 18W，卷装，如需报价，样品请联系代理商二方电子。...

N沟30V30A mos管SFN0330T2（实物图 参数 测试电路）2023-02-18 09:54:59

​SFN0330T2是一款30V30A的N沟道mos管，厂商为深鸿盛电子，采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优秀的导通内阻Rds(on)和低栅极电荷，可用于各种各样的应用，如快充，LED照明电源，采用PDFN3*3-8L封装，典型导通内阻值为8.3mΩ@Vgs=10V，丝印SFN0330T2，卷装。...

2304mos管SFS2304 30V/4.8A（特性 封装 规格书）2023-02-15 20:27:47

本产品为2304mos管，具体型号为SFS2304，属于N道沟场效应管(MOSFET) ，生产厂商为深鸿盛电子，贴片SOT-23封装，漏源电压（Vdss）为30V，漏极电流(Id)为4.8A，漏源导通电阻(RDS On)28.5mΩ@VGs=10V，丝印2304，卷装，主要用于开关电源，不间断电源，PFC等，欢迎询价询样品。...

铨力双N沟道低压MOS管AP4822QD（参数 引脚 代换）2023-02-11 17:45:11

​AP4822QD是铨力半导体一款双N沟道低压MOS场效应管，增强型，30v20A，丝印4822QD，结温150℃，功率4.8W，封装方式为PDFN3X3-8L，5000个一包装，可直接替换HM4822、AO4822、APM4822、CEM4822等型号，想了解更多关于该MOS的价格，应用，测试电路，规格书等欢迎联系孙经理。...

N沟道场效应管AP3400 30V5.8A（参数 图片 规格书）2022-10-15 19:36:56

AP3400型号是铨力半导体一款N沟道功率MOSFET，采用贴片SOT-23-3封装，丝印3400，符合Rohs认证，不含铅，符合REACH法规，可替代美国万代厂家AO3400，适用于作负载开关或脉宽调制应用，包装一卷盘3000个，以下是该MOS的主要特点，参数及应用规格书介绍，欢迎向二方电子询价。...

贴片8脚N沟道30V15A MOS管AP4410（参数 应用 丝印）2022-09-26 20:16:29

AP4410是铨力半导体一款30V15A大电流低内阻N沟道增强型MOS管，贴片SOP8封装，丝印4410，功率3W，主要应用于脉宽调制的应用程序，负荷开关，电源管理等，欢迎广大客户咨询价格，如需规格书资料请联系网站客服。...

5mΩ30V电机驱动mos管SRT03N050L2022-07-15 20:40:22

SRT03N050L是一款5.0mΩ，30V，N沟道功率MOSFET，采用先进的分裂栅沟槽技术，具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间，非常适用于高频开关和同步整流，击穿电压为30V，全称SRT03N050LD33TR-G，丝印03N050LD33G，采用PDFN3.3*3.3 封装。...

N沟道增强型MOSFET AP30H80Q 30V70A2022-06-07 19:38:23

AP30H80Q是一款N沟道增强型MOSFET，厂商为ALLPOWER铨力，采用先进的沟槽技术，丝印为30H80Q，阈值电压1.5V@250µA，漏源电压30V，连续漏极电流70A，功率46W，安装类型为表面贴装(SMT)，PDFN3x3-8L封装，主要用于PWM应用，负载开关，电源管理等。...