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650v7a的场效应管RSU7N65D（参数代换规格书）2023-06-18 07:59:03: RSU7N65D，简称7N65场效应管，是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道多层外延超结MOS，漏源电压Vds：650V，漏极电流Id Tc=25℃：7A，典型导通内阻为560mΩ，TO252封装，丝印RSU7N65D，广泛用于开关电源、汽车电子、工业控制，高压H桥PWM马达驱动等。...

国产高压650v 4A MOS管N沟-SCD65R1K2C2023-03-27 20:43:20: SCD65R1K2C是一款高压低电流mos管，TO-252-2L贴片封装，VDS=650V，ID=4A，生产厂商为深鸿盛电子，采用先进的超结技术制造，具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。典型导通内阻为0.9Ω@VGS=10V ID=2.0A。可广泛用于各类开关电源，DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动。...

650vmos管能耐多高电压？2023-03-08 19:35:33: 650V MOS管的最高耐电压一般为650v（击穿电压），但具体还要看不同型号的规格书，有的规格书可能是显示最大值为650v，有的是最小值650v，总之一定要小于最大耐压值，而且留有足够的余量，下图为650v mos管SFP4N65E漏极电压VDSS随温度变化的曲线。...

650vmos管有哪些型号可以选择？这十几款看看中不中意2023-02-16 20:59:38: 正在找650Vmos管？今日二方电子小编为您带来一波650V1A-650v20A范围的高压N沟MOSFET场效应管，本系列mos厂商为深圳深鸿盛电子，以下是各mos型号的主要参数，大家可以按需选择，有需要报价请联系客服。...

高压4n65场效应管SFD4N65【参数代换规格书资料】2023-02-14 20:30:58: SFD4N65是深圳深鸿盛电子一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成，具有低导通损耗，耐高压650v，抗冲击能力强等特点，可广泛用于各类AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器等领域，下面是关于该mos管的参数，可代换的型号以及规格书资料。...

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