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BPMS04N003M 40V 110A N沟道功率MOSFET2022-06-08 20:05:53: BPMS04N003M采用了独特优化的超级沟槽技术，可提供高效的高频开关性能，由于Rds(ON)和Qg的极低组合，传导和开关功率损耗都被降到了最低，该器件非常适合高频开关和同步整流以及dcdc转换器，工作温度-55℃-150℃，丝印BPMS04N003M，功率75W，封装是DFN5*6。...

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