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N+P双路场效应管SFN0315T4 30V18A PDFN3*3-8L2023-02-19 11:53:04: SFN0315T4是深鸿盛电子一款N+P双路场效应管，该mos采用PDFN-3*3-8L封装，卷装，丝印SFN0315T4，N沟Vds=30V.Id=18A，导通电阻典型值为9.1mΩ，P沟Vds=-30V.Id=-15A，导通内阻典型值为23.5mΩ，功率Pd 18W，卷装，如需报价，样品请联系代理商二方电子。...

-100V -50A P沟道MOS管AP50P10D（图片参数价格）2022-12-10 22:03:36: AP50P10D是永源微电子一款100v p沟道增强型MOS管，采用先进的沟槽技术和设计，漏源电压-100v，连续漏极电流-50A，导通电阻46mΩ@4.5V,8A，功率104w，工作温度-55℃~+150℃，主要用于电源开关，dc/dc转换器，TO-252封装，丝印AP50P10D，需要询价请联系东莞二方电子科技。...

n+p沟道场效应管AP3003（实物图参数规格书）2022-11-29 20:45:39: AP3003（AP3003S6）是一款n和p沟道功率MOSFET，SOT23-6封装，丝印3003，安装类型SMT，Vds=30V，Io=4.2A，采用先进的沟槽技术提供优良的Rds(ON)，低栅电荷，该MOS适用于电池保护或其他开关应用，3000个包装，最大功耗1.2W，漏源击穿电压BVDSS是33V，了解最新价格欢迎联系二方电子科技。...

铨力P沟道MOS管AP4407C -30V-12A（参数丝印应用）2022-09-26 21:20:57: AP4407C是铨力半导体的一款P沟道增强型mosfet，-30V-12A，采用贴片SOP-8封装，丝印4407C，具有快速切换，出色的导通电阻和最大直流电流能力，功耗3.7W，主要用于DC/DC转换器，便携式设备负载开关，电池开关等，欢迎广大客户咨询价格，样品，规格书资料等。...

NP沟道增强型低压MOS SFS4525T（参数特点应用）2022-05-27 19:50:11: SFS4525T型号为N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成，具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强，出色的导通电阻，等特点，广泛应用于电机驱动、UPS、BMS等领域，封装为PDFN5*6-8L。...

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