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500V耐压MOS管AP5N50K（参数 丝印 封装）
AP5N50K是铨力半导体生产的一款耐压500V N沟道功率MOS，丝印5N50K，TO-252封装，主要特点是连续漏极电流5A，导通电阻RDS (ON)＜1.5Ω@VGs=10V，TYP:1.25Ω，断开延时时间20ns（VDD=250V, ID=5A, VGs=10V, RG=25Ω），主要用于PWM应用，负荷开关，电源管理等。
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AP5N50K是铨力半导体生产的一款耐压500V N沟道功率MOS，丝印5N50K，TO-252封装，主要特点是连续漏极电流5A，导通电阻RDS (ON)＜1.5Ω@VGs=10V，TYP:1.25Ω，断开延时时间20ns（VDD=250V, ID=5A, VGs=10V, RG=25Ω），主要用于PWM应用，负荷开关，电源管理等。
AP5N50K是铨力半导体生产的一款耐压500V N沟道功率MOS，丝印5N50K，TO-252封装，主要特点是连续漏极电流5A，导通电阻RDS (ON)＜1.5Ω@VGs=10V，TYP:1.25Ω，断开延时时间20ns（VDD=250V, ID=5A, VGs=10V, RG=25Ω），主要用于PWM应用，负荷开关，电源管理等。
500v mos管AP5N50K丝印和引脚分配图；
AP5N50K的最大额定参数；
