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13N50F场效应管RS13N50F（参数 代换 供应）
RS13N50F是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道场效应晶体管，漏极-源极电压VDSS=500v，连续漏极电流ID =13A，典型导通内阻0.39Ω，切换速度快，100%雪崩测试，TO-220F封装，丝印RS13N50F，50个一管，可代替其他一些厂商的13N50MOS管，欢迎咨询样品，批量采购。
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RS13N50F是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道场效应晶体管，漏极-源极电压VDSS=500v，连续漏极电流ID =13A，典型导通内阻0.39Ω，切换速度快，100%雪崩测试，TO-220F封装，丝印RS13N50F，50个一管，可代替其他一些厂商的13N50MOS管，欢迎咨询样品，批量采购。
RS13N50F是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道场效应晶体管，漏极-源极电压VDSS=500v，连续漏极电流ID =13A，典型导通内阻0.39Ω，切换速度快，100%雪崩测试，TO-220F封装，丝印RS13N50F，50个一管，可代替其他一些厂商的13N50MOS管，欢迎咨询样品，批量采购。
RS13N50F型号应用及代换型号；
适用于高频开关电源、电子镇流器、逆变电源，可代换其它场效应管品牌型号13N50。
13N50F场效应管RS13N50F极限参数；
