电机驱动n+p沟道mos管SFQ0320T4(参数 图片 价格)
SFQ0320T4是深鸿盛一款N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成,T0-252-4L封装。具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强等特点,该mos广泛用于电机驱动、UPS、BMS等领域,N沟道VDS=30V,ID=25A,P沟道VDS=-30V,ID=-24A,最新价格请联系客服。
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SFQ0320T4是深鸿盛一款N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成,T0-252-4L封装。具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强等特点,该mos广泛用于电机驱动、UPS、BMS等领域,N沟道VDS=30V,ID=25A,P沟道VDS=-30V,ID=-24A,最新价格请联系客服。
SFQ0320T4是深鸿盛一款N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成,T0-252-4L封装。具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强等特点,该mos广泛用于电机驱动、UPS、BMS等领域,N沟道VDS=30V,ID=25A,P沟道VDS=-30V,ID=-24A。
电机驱动mos管SFQ0320T4基本特性参数;
N沟道;
Vds=30V,ld=25A
导通电阻:15.3mΩ(VGS=10V,ID=15A)
导通电阻:21.1mΩ(VGS=4.5V,ID=10A)
P沟道;
Vds=-30V,ld=-24A
导通电阻典型值为12.3mΩ(VGS=-10V, ID=-5A)和16.5mΩ(VGS=-4.5V, ID=-5A)
深鸿盛增强型低压mos管SFQ0320T4 N沟道电气特性参数;
增强型低压mos管SFQ0320T4 P沟道电气特性参数;